发明名称 |
MULTISTAGE MEMORY CELL READ |
摘要 |
멀티스테이지 판독은 판독되는 메모리 셀의 문턱 전압의 함수로서 워드라인 캐패시턴스를 동적으로 변화시킬 수 있다. 멀티스테이지 판독은 판독 동안에 전류 스파이크를 감소시키고 메모리 셀의 가열을 감소시킬 수 있다. 메모리 디바이스는 선택된 메모리 셀의 워드라인을 감지 회로에 접속시키는 글로벌 워드라인 드라이버, 및 메모리 셀에 로컬인 로컬 워드라인 드라이버를 포함한다. 워드라인이 판독 전압으로 충전된 후에, 제어 로직은 멀티스테이지 판독을 수행하기 위해 상이한 이산적 전압 레벨들을 비트라인에 인가하는 것과 함께 글로벌 워드라인 드라이버 및 로컬 워드라인 드라이버의 일부 또는 전부를 선택적으로 인에이블 및 디스에이블할 수 있다. |
申请公布号 |
KR101684104(B1) |
申请公布日期 |
2016.12.07 |
申请号 |
KR20150061113 |
申请日期 |
2015.04.30 |
申请人 |
인텔 코포레이션 |
发明人 |
굴리아니, 산딥;판갈, 키란;스리니바산, 발라지;후, 차오홍 |
分类号 |
G11C16/26;G11C16/24;G11C16/28 |
主分类号 |
G11C16/26 |
代理机构 |
|
代理人 |
|
主权项 |
|
地址 |
|