发明名称 MULTISTAGE MEMORY CELL READ
摘要 멀티스테이지 판독은 판독되는 메모리 셀의 문턱 전압의 함수로서 워드라인 캐패시턴스를 동적으로 변화시킬 수 있다. 멀티스테이지 판독은 판독 동안에 전류 스파이크를 감소시키고 메모리 셀의 가열을 감소시킬 수 있다. 메모리 디바이스는 선택된 메모리 셀의 워드라인을 감지 회로에 접속시키는 글로벌 워드라인 드라이버, 및 메모리 셀에 로컬인 로컬 워드라인 드라이버를 포함한다. 워드라인이 판독 전압으로 충전된 후에, 제어 로직은 멀티스테이지 판독을 수행하기 위해 상이한 이산적 전압 레벨들을 비트라인에 인가하는 것과 함께 글로벌 워드라인 드라이버 및 로컬 워드라인 드라이버의 일부 또는 전부를 선택적으로 인에이블 및 디스에이블할 수 있다.
申请公布号 KR101684104(B1) 申请公布日期 2016.12.07
申请号 KR20150061113 申请日期 2015.04.30
申请人 인텔 코포레이션 发明人 굴리아니, 산딥;판갈, 키란;스리니바산, 발라지;후, 차오홍
分类号 G11C16/26;G11C16/24;G11C16/28 主分类号 G11C16/26
代理机构 代理人
主权项
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