| 摘要 |
본 발명의 실시 예에 따른 하나의 비트라인에 적어도 두 개의 스트링들이 연결되는 비휘발성 메모리 장치의 채널 부스팅 방법은, 선택된 메모리 블록의 스트링들의 채널들에 초기 채널 전압을 인가하는 단계, 상기 스트링들 중에서 프로그램되지 않는 셀을 갖는 금지 스트링들을 플로팅하는 단계,및 상기 플로팅된 금지 스트링들을 채널 부스팅하는 단계를 포함한다. 본 발명에 따른 비휘발성 메모리 장치는, 프로그램 동작시 동일한 초기 조건에서 채널 부스팅을 수행함으로써, 최적화된 패스 전압을 쉽게 결정할 수 있다. |
