| 主权项 |
1.一种半导体模组,其中包括:一晶片,由一积体电路形成;一第一外部接续端子,与该积体电路电性接续;一第二外部接续端子,配置于一配线基板上;以及一导电性物质,用以电性接续该第一外部接续端子与该第二外部接续端子,该导电性物质覆盖至该第二外部接续端子之侧壁。2.如申请专利范围第1项所述之半导体模组,其中该第一外部接续端子包括一接线。3.如申请专利范围第1项所述之半导体模组,其中该第二外部接续端子包括一底座。4.如申请专利范围第1项所述之半导体模组,其中该导电性物质包括一焊锡。5.如申请专利范围第1项所述之半导体模组,其中该积体电路所形成之该晶片包括:一电子零件;一半导体单元;以及一半绝缘性单元。6.如申请专利范围第1项所述之半导体模组,其中该第二外部接续端子具有一凸状结构。7.一种半导体模组,其中包括:一晶片,由一积体电路形成;一第一外部接续端子,与该积体电路电性接续;一第二外部接续端子,配置于一配线基板上,该第二外部接续端子之幅宽与该第一外部接续端子之幅宽实质上相同,或是该第二外部接续端子之幅宽较该第一外部接续端子之幅宽为窄;以及一导电性物质,用以电性接续该第一外部接续端子与该第二外部接续端子。8.如申请专利范围第7项所述之半导体模组,其中该第一外部接续端子包括一接线。9.如申请专利范围第7项所述之半导体模组,其中该第二外部接续端子包括一底座。10.如申请专利范围第7项所述之半导体模组,其中该导电性物质包括一焊锡。11.如申请专利范围第7项所述之半导体模组,其中该积体电路所形成之该晶片包括:一电子零件;一半导体单元;以及一半绝缘性单元。12.如申请专利范围第7项所述之半导体模组,其中该第二外部接续端子具有一凸状结构。图式简单说明:第1图绘示本发明第一实施例之半导体模组剖面图;第2图绘示本发明第二实施例之半导体模组剖面图;第3图绘示习知记忆体模组之外形图;第4图绘示第3图记忆体模组中a-a线所横切断面之剖面图;第5图绘示第3图中b部之扩大平面图;以及第6图绘示第3图记忆体模组中c-c线所横切断面之剖面图。 |
