射频水平双扩散金属氧化物半导体器件及制作方法

摘要

本发明公开了一种射频水平双扩散金属氧化物半导体器件及其制作方法，本发明利用垫氧化层刻蚀的方法形成下沉区的对准标记，从而定义有源区，这种方法工艺简单，可操作性较强，同时避免了现有技术中通过硅刻蚀形成的凹槽使注入区存在断面情况，从而使注入区可以更好的与下沉区相连接，有效降低了器件的导通电阻，另外由于没有硅刻蚀，所以也避免了硅刻蚀中容易产生的晶格缺陷。

主权项

一种射频水平双扩散金属氧化物半导体器件的制作方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：S1、在外延层上表面形成连续的垫氧化层；S2、在所述外延层中定义下沉区，并刻蚀与所述下沉区接触的所述垫氧化层，使所述下沉区的上表面露出，形成对准槽；S3、以所述对准槽为对准标记定义有源区，在所述有源区的两侧的外延层的上表面形成场氧化层，之后去除所述有源区上表面的所述垫氧化层；S4、在所述有源区的上表面以及所述下沉区的上表面形成连续的栅氧化层，并在所述栅氧化层的上表面形成多晶硅；S5、在所述有源区内形成体区、源区、漏区、漂移区以及注入区。