一种电荷调制终端及其制备方法和含该终端的SiC高压器件

摘要

本发明公开了一种应用于碳化硅高压器件的电荷调制终端，在终端台面上依次设置的结终端扩展区内分别设置位于第二结终端扩展区的第二电荷调制区，…，和位于第N结终端扩展区的第N电荷调制区；第二区至第N区的等效电荷总量在横向上随着与主结距离的变大而逐渐变小。该电荷调制终端能缓解JTE区边缘电场峰值过高的问题，改善JTE终端的分压效率。该结构通过多次离子注入工艺形成，工艺简单，节省成本。包含该电荷调制终端的碳化硅高压器件具有更高的耐压、更高的面积使用率以及更稳定的性能。

主权项

一种应用于碳化硅高压器件的电荷调制终端，其特征在于，包括：A.实现主器件功能的SiC衬底及外延层结构；B.位于器件边缘，由内向外水平依次排列的用于终端保护的第一结终端扩展区、第二结终端扩展区、第三结终端扩展区…、第N结终端扩展区；C.位于第二结终端扩展区内的第二电荷调制区，位于第三结终端扩展区内的第三电荷调制区，…，和位于第N结终端扩展区的第N电荷调制区；并且，第二区、第三区至第N区的等效电荷总量在横向上随着与主结距离的变大而逐渐变小；D.位于结终端扩展区上方的钝化层；所述碳化硅高压器件为以JTE为终端的SiC电力电子器件。