一种高亮正装LED芯片

摘要

本发明提供了一种高亮正装LED芯片，包括外延层、透明导电层、绝缘层、P型电极和N型电极，所述外延层包括自下而上制作在衬底上的N型层、发光层和P型层，外延层的一侧壁蚀刻至N型层的台面并制作有N型电极，所述透明导电层形成于P型层表面并制作有P型电极，其特征在于：所述绝缘层形成于透明导电层表面并自外延层侧壁延伸至N型层表面，P型电极和N型电极至少有一个电极是部分制作在绝缘层上。本发明所提供的高亮正装LED芯片，通过改进P型电极下的绝缘层、透明导电层、P-GaN层等结构，减少刻蚀N型层台面的面积，增加发光区面积，同时通过改变折射角增强P型电极下的出光效果，提升LED芯片的亮度，还使电极设计多样化，并降低了掉电极的风险。

主权项

一种高亮正装LED芯片，包括外延层、透明导电层、绝缘层、P型电极和N型电极，所述外延层包括自下而上制作在衬底上的N型层、发光层和P型层，外延层的一侧壁蚀刻至N型层的台面并制作有N型电极，所述透明导电层形成于P型层表面并制作有P型电极，其特征在于：所述绝缘层形成于透明导电层表面并自外延层侧壁延伸至N型层表面，P型电极和N型电极至少有一个电极是部分制作在绝缘层上。