非平坦晶体管以及其制造的方法

摘要

本发明涉及在非平坦晶体管内形成源/漏结构，其中从非平坦晶体管除去鳍间隔件，以便从非平坦晶体管鳍形成源/漏结构，或者用合适的材料代替非平坦晶体管鳍，形成源/漏结构。

主权项

一种制造非平坦晶体管的方法，其包括：在基底上形成非平坦晶体管鳍；在非平坦晶体管鳍的上面形成非平坦晶体管栅极；在非平坦晶体管栅极和非平坦晶体管鳍的上面共形沉积介电材料层；以及由邻近非平坦晶体管栅极侧壁的一部分介电材料层形成非平坦晶体管栅极间隔件，并且除去邻近非平坦晶体管鳍的介电材料层，其中形成非平坦晶体管栅极间隔件和除去邻近非平坦晶体管鳍的介电材料层是同时进行的，其中由邻近非平坦晶体管栅极侧壁的一部分介电材料层形成非平坦晶体管栅极间隔件，并且除去邻近非平坦晶体管鳍的介电材料层包括：在最紧邻非平坦晶体管栅极上部的一部分介电材料层上形成帽盖结构，包括：在介电材料层的上面形成帽盖材料层；在帽盖材料层的上面形成牺牲层；使牺牲层凹进，以暴露一部分帽盖材料层；改变帽盖材料层暴露部分的蚀刻特征；除去牺牲层；以及除去帽盖材料层的未改变部分；以及定向蚀刻邻近非平坦晶体管鳍的一部分介电材料层。