发明名称 一种电阻测试结构
摘要 本实用新型提供一种电阻测试结构包括:第一待测电阻,所述第一待测电阻包括第一体电阻及分别连接于第一体电阻两端的第一头电阻及第二头电阻,所述第一头电阻与第一测试端以及电源端连接,所述第二头电阻与第二测试端以及电源端连接;所述第一体电阻的第一端延伸第一支路电阻,所述第一支路电阻与第三测试端连接,所述第一体电阻的第二端延伸第二支路电阻,所述第二支路电阻与第四测试端连接。本实用新型提供了一种电阻测试结构,用于解决现有技术中无法区分体电阻和接触电阻结构变化对电阻失配的影响问题。
申请公布号 CN205786854U 申请公布日期 2016.12.07
申请号 CN201620497278.9 申请日期 2016.05.26
申请人 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 发明人 甘正浩;冯军宏
分类号 G01R27/02(2006.01)I;G01R31/00(2006.01)I 主分类号 G01R27/02(2006.01)I
代理机构 上海光华专利事务所 31219 代理人 余明伟
主权项 一种电阻测试结构,其特征在于,所述电阻测试结构包括:第一待测电阻,所述第一待测电阻包括第一体电阻及分别连接于第一体电阻两端的第一头电阻及第二头电阻,所述第一头电阻与第一测试端以及电源端连接,所述第二头电阻与第二测试端以及电源端连接;所述第一体电阻的第一端延伸第一支路电阻,所述第一支路电阻与第三测试端连接,所述第一体电阻的第二端延伸第二支路电阻,所述第二支路电阻与第四测试端连接。
地址 100176 北京市大兴区大兴区经济技术开发区(亦庄)文昌大道18号