氧化锌/硅p‑n异质结紫外光探测器

摘要

本实用新型提供了一种氧化锌/硅p‑n异质结紫外光探测器，利用射频磁控溅射方法在硅衬底上生长氧化锌薄膜，然后通过掩膜和溅射方法在薄膜表面制备可透光的金属电极层。本实用新型利用氧化锌/硅异质结的放大效应制备的紫外光探测器具有耗能低、工艺简单、灵敏度高，响应、恢复时间短特点，对紫外光具有良好的检测性能，具有重要的应用前景。

主权项

一种基于氧化锌/硅p‑n异质结的紫外光探测器，其特征是：采用具有紫外敏感性的氧化锌/硅p‑n异质结材料，自下而上依次是p型硅基底(1)、氧化锌薄膜(2)、透光金属电极层(3)、铟点电极(4)、铟金属层电极(5)；其中，氧化锌薄膜(2)的厚度为25‑65纳米，p型硅基底(1)的厚度为0.3‑2毫米，p型硅的电阻率为0.1‑1欧姆厘米。