| 摘要 |
제 1 유전체막 및 실리콘 질화막인 제 2 유전체막이 교호로 적층됨으로써 구성된 다층막을 가지는 제 1 영역과, 단층의 실리콘 산화막을 가지는 제 2 영역을 에칭하는 방법을 제공한다. 일실시 형태의 방법은, 플라즈마 처리 장치의 처리 용기 내에서, 플루오르카본 가스, 및 산소 가스를 포함하는 제 1 처리 가스의 플라즈마를 생성하는 제 1 플라즈마 처리 공정과, 처리 용기 내에서, 수소 가스, 삼불화 질소 가스 및 탄소 함유 가스를 포함하는 제 2 처리 가스의 플라즈마를 생성하는 제 2 플라즈마 처리 공정을 포함한다. 이 방법에서는, 제 1 플라즈마 처리 공정에서는, 정전 척의 온도가 제 1 온도로 설정되고, 제 2 플라즈마 처리 공정에서는, 정전 척의 온도가 제 1 온도보다 낮은 제 2 온도로 설정된다. |
