| 摘要 |
본 발명은 복잡 형상 부분과 평탄 형상 부분을 갖는 피처리 기판에 염화물 원료를 사용해서 금속막을 형성하는 경우에, 어느 부분에든 막 형성하는 것이 가능한 금속막의 성막 방법을 제공한다. 감압 분위기 하에 유지된 챔버 내에 배치된, 복잡 형상 부분과 평탄 형상 부분을 갖는 피처리 기판에 대하여, 원료 가스로서의 금속 염화물 가스 및 금속 염화물을 환원하는 환원 가스를, 상기 챔버 내의 퍼지를 사이에 두고 시퀀셜하게 챔버 내에 공급해서 금속막을 성막함에 있어서, 금속 염화물 원료의 공급량을 상대적으로 적게 해서 제1 금속막을 성막하는 공정과, 금속 염화물 원료의 공급량을 상대적으로 많게 해서 제2 금속막을 성막하는 공정을 교대로 실시한다. |
