| 摘要 |
기판, 오목부 형상의 캐비티를 갖는 리플렉터 및 광 반도체 소자를 적어도 구비한 반도체 발광 장치이며, 해당 리플렉터가 무기 물질을 함유하는 수지 조성물에 의해 형성되고, 해당 리플렉터를, CuKα선(파장 1.5418Å)을 사용한 X선 회절법에 의해 측정한 스펙트럼에 있어서, 회절각 2θ가 0도 내지 24도의 범위 중 강도가 최대가 되는 회절 피크의 피크 강도 P1과, 회절각 2θ가 24도 초과 내지 70도의 범위에서, 강도가 최대가 되는 회절 피크의 피크 강도 P2의 강도비(P1/P2)가 0.01 이상 1.0 이하이면서, 또한 해당 리플렉터의 회분이 60질량％ 이상인 것을 특징으로 하는 반도체 발광 장치이다. 매우 높은 반사성과 치수 안정성이 우수한 리플렉터를 갖는 반도체 발광 장치 및 광 반도체 실장용 기판을 제공할 수 있다. |
