| 主权项 |
1.一种可获致均匀涂布光阻的方法,包括:设置一第一光阻层,该第一光阻层系为正光阻具有一厚度;以具有既定能量之光源,对该第一光阻层进行曝光;对经曝光之该第一光阻层进行显影,留存该第一光阻层之部份;以及于经显影之该第一光阻层上设置一第二光阻层。2.如申请专利范围第1项所述之该方法,其中,提供第一光阻层之步骤,包括提供一I-线光阻层,该I-线光阻层厚度约3m。3.如申请专利范围第2项所述之该方法,其中,以具有既定能量之光源对该第一光阻层进行曝光之步骤,包括以具有约250毫焦耳既定能量之光源对该第一光阻层进行曝光。4.一种可获致均匀涂布光阻的方法,适用于包括一沟槽之半导体元件表面;该方法包括:于具有该沟槽之该表面上设置一第一光阻层,该第一光阻层系为正光阻具有一厚度;以具有既定能量之光源,对该第一光阻层进行曝光;对经曝光之该第一光阻层进行显影,留存该第一光阻层位于该沟槽内之部份;以及于经显影该第一光阻层上设置一第二光阻层。5.如申请专利范围第4项所述之该方法,其中,提供第一光阻层之步骤,包括提供一I-线光阻层,该I-线光阻层厚度约3m。6.如申请专利范围第5项所述之该方法,其中,以具有既定能量之光源对该第一光阻层进行曝光之步骤,包括以具有约250毫焦耳既定能量之光源对该第一光阻层进行曝光。图式简单说明:第一图系显示在具有复数沟槽之晶圆表面上方沈积第一光阻层之剖面图示;第二图系显示对第一光阻层进行曝光及显影之步骤;以及第三图系显示在经曝光显影后之第一光阻层上方沈积第二光阻层之剖面图示。 |
