发明名称 |
多通道半导体存储器装置以及包括该装置的半导体装置 |
摘要 |
公开了一种多通道半导体存储器装置以及包括该装置的半导体装置。所述半导体存储器装置包括安装在封装件内的多个通道存储器,并能够最小化或减少硅通孔的数量。关于所述半导体存储器装置,通过共享总线施加关于两个或更多个通道的行命令或行地址。半导体存储器装置能够通过减少硅通孔的数量来减少裸片大小的开销。还提供了一种使用共享总线来驱动包括多个存储器的多通道半导体存储器装置的方法。 |
申请公布号 |
CN102486931B |
申请公布日期 |
2016.12.07 |
申请号 |
CN201110412500.2 |
申请日期 |
2011.11.30 |
申请人 |
三星电子株式会社 |
发明人 |
金炫中;李东阳 |
分类号 |
G06F12/00(2006.01)I;G11C8/16(2006.01)I |
主分类号 |
G06F12/00(2006.01)I |
代理机构 |
北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 |
代理人 |
韩明星 |
主权项 |
一种半导体存储器装置,包括:第一存储器,被配置为通过第一专用总线接收第一通道列命令,通过共享总线接收第一通道行命令;第二存储器,被配置为通过第二专用总线接收第二通道列命令,通过共享总线接收第二通道行命令,其中,第二存储器通过硅通孔与第一存储器连接,并且共享总线由硅通孔形成,其中,第一存储器与第一通道数据输入/输出总线耦接以传输数据,第二存储器与第二通道数据输入/输出总线耦接以传输数据。 |
地址 |
韩国京畿道水原市 |