| 主权项 |
1.一种磁控管雾化源,包括:一个靶体(1),靶体边缘之雾化面积(3)相对于至少一平面而言是以镜面对称之凹面所构成;磁路配置(4.40.41.42.44),此种磁路配置经由雾化面积(3)而产生磁场(B);阳极配置(15.9);一个环绕靶体(1)之边缘之与靶体(1)电性绝缘之接应框架(9),接应框架(9)具有一个接应接口(11)以用于至少-可涂层之工件(13)中,其中在雾化源侧此作业空间基本上只受到靶体(1)之雾化面积(3)以及接应框架(9)之内部面积(F9)所限制,其特征为:作业空间(除了至少一个工件(13)用之接应接口(11)以外)基本上是受到雾化面积(3)所限制,周围环绕之非雾化之其余内部面积(F9)减低至最小,在作业状态时,此种最小面积可确保一种稳定之电浆放电。2.如申请专利范围第1项之磁控管雾化源,其中其余之内部面积(F9),例如每一个接环(9)之内部面积及靶体之雾化面积F1适合下式:--F9≦50%F13.如申请专利范围第1或第2项之磁控管雾化源,其中磁路配置(4.40.41.42.44)被接通于靶体(1)的电位处。4.如申请专利范围第1或第2项之磁控管雾化源,其中雾化新面积(3)正面对着接应接口(11),此新面积例如是以抛物面或球面构成。5.如申请专利范围第1或第2项之磁控管雾化源,其中雾化面积之俯视图是圆形,椭圆形或矩形,最好是圆形。6.如申请专利范围第1或第2项之磁控管雾化源,其中磁路的构造须使雾化面积在作业时保持凹面之形式,最好是持续地保持弯曲。7.如申请专利范围第1或第2项之磁控管雾化源,其中磁路的构造须使雾化操作期间在接应接口(11)处相对于雾化面积之已雾化之颗粒所呈现之方向特性基本上保持相同。8.如申请专利范围第1或第2项之磁控管雾化源,其中对中央待覆盖的工件晶圆之涂层而言,一个遮罩核心(15)从中央经由靶体而突出至接应接口(11)之高度处。9.如申请专利范围第1或第2项之磁控管雾化源,其中针对雾化面积而言须在中央设置一作业气体所需之气体出口(37)。10.如申请专利范围第1或第2项之磁控管雾化源,其中介于雾化新面积及接应接口(11)之平面之间的最大距离(d113)相对于接应接口(11)之最小直径k(13)的关系为:--20%k≦d113。11.如申请专利范围第1或第2项之磁控管雾化源,其中介于雾化新面积及接应接口(11)之平面之间的最大距离(d113)相对于接应接口(11)之最小直径k(13)之关系为:--d113≦50%k,因此最好是:--d113≦42%k特别良好之情况是:--d113≦35%k。12.如申请专利范围第1或第2项之磁控管雾化源,其中介于雾化新面积及接应接口(11)之平面之间的最大距离(d113)至少可达25mm,较佳为介于30mm及50mm之间,最好是介于30mm及35mm之间。13.如申请专利范围第1或第2项之磁控管雾化源,其中接应接口是圆形的,其直径(13)较佳为50mm至150mm,最好是75mm至150mm。14.如申请专利范围第1或第2项之磁控管雾化源,其中雾化面积之直径较接应接口(11)之直径(13)还大30%至40%。15.如申请专利范围第1或第2项之磁控管雾化源,其中对圆形工件晶圆而言,平行于接应接口(11)之平面的接环(9)之宽度是:--0≦≦10%k,较佳是--0≦≦20%k,最好是--大约15%k其中k是工件之最小直径。16.如申请专利范围第1或第2项之磁控管雾化源,其中接环(9)的内部面积(F9)在垂直于接应接口(11)之平面(E)之方向中所具有之深度是a,此深度a相对于介于雾化新面积及接应接口(11)之开口面之间的最大距离d113所具有之关系是:--a≦50%d113,较佳为--a≦40%d113,深度a亦可非常小,但最好是:--aapprox 30%d113。17.如申请专利范围第1或第2项之磁控管雾化源,其中接应框架(9)的至少一部份是处于一种参考电位处,最好是在一可调整之参考电位处,较佳是在阳极电位处或以浮动方式操作。18.如申请专利范围第1或第2项之磁控管雾化源,其中在靶体(1)保温时间内的涂层速率较新速率减少50%,最好是减少35%。19.如申请专利范围第1或第2项之磁控管雾化源,其中在不希望放电之区域或充满高磁场之区域(例如,黑暗空间)设置一个电性隔离区。20.如申请专利范围第1项之磁控管雾化源,其中接应接口(11)之尺寸系依据储存磁碟,特别是依据光碟(compact disks)而定;因此,设计成此种用途之磁控管雾化源将由此接应接口(11)之长度所界定。图式简单说明:第一图根据本发明之较佳的磁控管雾化源之已简化的横切面图。第二图其是与第一图相同,但加入其己设置之磁路。 |
