MOSFET及其制造方法

摘要

本发明公开了一种MOSFET，源区和所述漏区具有非对称的结构：漏区的横向结深大于所述源区的横向结深，漏区的纵向结深大于源区的纵向结深；通过增加漏区的横向结深和纵向结深来提高器件的击穿电压，通过减少源区的横向结深和纵向结深来减少器件的横向尺寸；栅介质层具有非对称的结构：栅介质层包括横向连接的第一栅介质段和第二栅介质段；第一栅介质段的厚度大于第二栅介质段的厚度；通过增加第一栅介质段的厚度减少器件的GIDL效应，通过减少第二栅介质段的厚度增加器件的驱动电流。本发明还公开了一种MOSFET的制造方法。本发明能提高器件的击穿电压同时降低器件尺寸，能减小GIDL效应同时提高器件的电流驱动能力。

主权项

一种MOSFET，其特征在于，包括：第二导电类型的阱区，形成于半导体衬底的表面区域；在所述阱区表面上依次形成有栅介质层和多晶硅栅；在所述阱区表面内分别形成有第一导电类型掺杂的源区和第一导电类型掺杂的漏区；所述漏区和所述多晶硅栅的第一侧自对准，所述源区和所述多晶硅栅的第二侧自对准；所述源区和所述漏区具有非对称的结构：所述漏区的横向结深大于所述源区的横向结深，所述漏区的纵向结深大于所述源区的纵向结深；通过增加所述漏区的横向结深和纵向结深来提高器件的击穿电压，通过减少所述源区的横向结深和纵向结深来减少器件的横向尺寸；所述栅介质层具有非对称的结构：所述栅介质层包括横向连接的第一栅介质段和第二栅介质段；所述第一栅介质段的厚度大于所述第二栅介质段的厚度；在横向上所述漏区从所述多晶硅栅的第一侧横向延伸到所述多晶硅栅的底部并形成所述漏区和所述多晶硅栅的交叠区，所述第一栅介质段位于所述漏区和所述多晶硅栅的交叠区内；通过增加所述第一栅介质段的厚度减少器件的GIDL效应，通过减少所述第二栅介质段的厚度增加器件的驱动电流。