一种射频功率放大器及射频前端模块

摘要

本申请公开了一种射频功率放大器及射频前端模块，其中，射频功率放大器由至少一个基于CMOS工艺或SOI工艺的第一晶体管和至少一个基于GaAs pHEMT工艺或GaN工艺或LDMOS工艺的第二晶体管构成。这种将第一晶体管和第二晶体管搭配构成射频功率放大器既满足了射频功率放大器对于作为其输出级的晶体管的高击穿电压的要求，又兼具了CMOS工艺的制作快、价格低和工艺成熟的优点，实现了降低射频功率放大器的成本和制作周期的目的。进一步的，第二晶体管设置于衬底的凹槽中，通过第一晶体管的再布线层实现与第一晶体管的连接，从而降低了射频功率放大器所占用的衬底的面积，进一步降低了射频功率放大器的成本。

主权项

一种射频功率放大器，其特征在于，包括：至少一个第一晶体管和至少一个第二晶体管，所述至少一个第一晶体管和至少一个第二晶体管以共源共栅方式连接，且其中一个所述第一晶体管的源极作为射频功率放大器的接地端，其中一个所述第二晶体管的漏极作为所述射频功率放大器的射频信号输出端；所述第一晶体管为基于CMOS工艺或SOI工艺的晶体管，包括衬底以及位于所述衬底表面的功能结构，所述衬底表面分布有至少一个凹槽；所述第二晶体管为基于GaAs pHEMT工艺或GaN工艺或LDMOS工艺的晶体管，每个所述第二晶体管固定于所述凹槽中，且通过所述第一晶体管的再布线层与所述第一晶体管连接。