发明名称 半导体晶圆固定装置及半导体晶圆贮存室
摘要 本发明之晶圆固定装置之温度测定装置(141)系一种,令保持有与接触器(3)配合动作而与其成整体接触状态之晶圆W之晶圆卡盘(2),与底套(9)相互接触,藉底套(bottom jacket)(9)将晶圆W控制在一定之检查温度时(P),测量晶圆卡盘(2)之温度之装置,其特征在于,在晶圆卡盘至少配设三处从背面到达表面附近之凹部(2A),同时在底套(9)设对应凹部(2A)之贯穿孔(9B),且在底套(9)之与晶圆卡盘(2)相反之一侧,配设可从贯穿孔(9B)嵌入凹部2A之温度检测器(141A),同时以弹簧(141D)支持温度检测器(141A),检查时使温度检测器(141A)之前端弹接在凹部(2A)。
申请公布号 TW392274 申请公布日期 2000.06.01
申请号 TW087118374 申请日期 1998.11.04
申请人 东京威力科创有限公司 发明人 古屋邦浩;米泽俊裕;井上贤;中阳一
分类号 H01L21/66 主分类号 H01L21/66
代理机构 代理人 恽轶群 台北巿南京东路三段二四八号七楼;陈文郎 台北巿南京东路三段二四八号七楼
主权项 1.一种半导体晶圆固定装置,备有:固定半导体晶圆之半导体晶圆固定台,具有载置半导体晶圆用之表面,及设在其内部之到达该表面附近之至少一个凹部之半导体晶圆固定台;测量该半导体晶圆固定台之温度之温度测量机构,具有至少一个温度检测器,以及,支持该温度检测器,同时令该温度检测器通过上述温度控制机构之该贯穿孔,嵌入上述半导体晶圆固定台之凹部之第1弹性支持构件之温度测量机构;以及,可控制载置在该半导体晶圆固定台之半导体晶圆之温度之温度控制机构,在该半导体晶圆固定台之上述表面之相反侧,接触于该半导体晶圆固定台,控制上述半导体晶圆固定台之温度,同时支持上述半导体晶圆固定台,而在对应上述凹部之位置至少有一个贯穿孔之温度控制机构。2.一种半导体晶圆固定装置,备有:具有以整批且个别以电气方式接触于,形成在该半导体晶圆上之多数半导体元件之一定之各电极之多数导电构件,及以电气方式连接在该导电构件之外部端子之接触器;保持与上述接触器成接触状态之该半导体晶圆之半导体晶圆固定台,上述半导体晶圆固定台备有,载置半导体晶圆用之表面,及设在其内部之到达该表面附近之至少一个凹部之半导体晶圆固定台;测量该半导体晶圆固定台之温度之温度测量机构,具有至少一个温度检测器,以及,支持该温度检测器,同时令该温度检测器通过上述温度控制机构之该贯穿孔,嵌入上述半导体晶圆固定台之凹部之第1弹性支持构件之温度测量机构;以及,控制载置在该半导体晶圆固定台之半导体晶圆之温度之温度控制机构,系在上述表面之相反侧,接触于该半导体晶圆固定台,控制上述半导体晶圆固定台之温度,同时支持上述半导体晶圆固定台,而在对应上述凹部之位置至少有一个贯穿孔之温度控制机构。3.如申请专利范围第1-2项中任一项之半导体晶圆固定装置,其特征在于,在上述温度测量机构配设有,至少一个可检出温度检测器之位置之检测器。4.一种半导体晶圆固定装置,备有:具有以整批且个别以电气方式接触于,形成在该半导体晶圆上之多数半导体元件之一定之各电极之多数导电构件,及以电气方式连接在该导电构件之外部端子之接触器;保持与上述接触器成接触状态之该半导体晶圆之半导体晶圆固定台;测量该半导体晶圆固定台之温度之温度测量机构;以及,控制载置在该半导体晶圆固定台之半导体晶圆之温度之温度控制机构,系由备有:形成多数贯穿孔之基台;贯穿该基台之该贯穿孔,固定在上述温度控制机构,引导上述基台使其可与上述温度控制机构相对移动之杆,及与上述基台分开间隔弹性支持上述温度控制机构之第2弹性支持构件之支持机构;所支持之温度控制机构。5.如申请专利范围第4项之半导体晶圆固定装置,其特征在于,上述第2弹性支持构件系绕在上述杆之周围之螺旋状之弹簧。6.一种半导体晶圆固定装置,备有:具有以整批且个别以电气方式接触于,形成在该半导体晶圆上之多数半导体元件之一定之各电极之多数导电构件,及以电气方式连接在该导电构件之外部端子之接触器;保持与上述接触器成接触状态之该半导体晶圆之半导体晶圆固定台;测量该半导体晶圆之温度之温度测量机构;以及,控制载置在该半导体晶圆固定台之半导体晶圆之温度之温度控制机构,备有:在该机构内部,且设在其表面附近之发热体,设在该机构内部,且与该发热体间留有间隔,供冷媒通过之冷却通路;设在该冷却通路与上述发热体间之热阻片;以及,依据上述温度测量机构之检测信号,控制发热体之加热量及冷媒之冷却量之控制装置;并接触于上述半导体晶圆固定台,支持该半导体晶圆固定台,同时控制其温度之温度控制机构。7.如申请专利范围第6项之半导体晶圆固定装置,其特征在于,控制上述发热体之加热量及冷媒之冷却量之控制装备有PID调节计。8.如申请专利范围第6项之半导体晶圆固定装置,其特征在于,上述半导体晶圆固定台有载置半导体晶圆用之表面,及从该表面之相反侧到达该表面之附近之至少一个凹部,上述温度控制机构在该半导体晶圆固定台之上述表面之反面侧,接触于该半导体晶圆固定台,以控制该半导体晶圆固定台之温度,同时支持该半导体晶圆固定台,且在对应该半导体晶圆固定台之上述凹部之位置有至少一个贯穿孔,上述温度测量机构有至少一个温度检测器,及支持该温度检测器同时令该温度检测器通过上述温度控制机构之该贯穿孔,嵌入上述半导体晶圆固定台之凹部之第1弹性支持构件。9.如申请专利范围第6项至第8项中任一项之半导体晶圆固定装置,其特征在于,上述冷媒为水。10.一种半导体晶圆固定装置,备有,用以载置半导体晶圆之本体,有可使送受上述半导体晶圆之梢昇降之多数之孔,覆盖上述孔,且随上述梢之昇降而伸缩之封闭膜之载置半导体晶圆之本体;以及备有可藉真空吸力吸着该半导体晶圆之机构之半导体晶圆固定台。11.如申请专利范围第10项之半导体晶圆固定装置,其特征在于,上述封闭膜系矽橡胶制膜,呈前端封闭下端开口之圆筒形状。12.一种半导体晶圆贮存室,系用以收容半导体晶圆固定装置之半导体晶圆贮存室,半导体晶圆固定装置备有:具有以整批且个别以电气方式接触于,形成在该半导体晶圆上之多数半导体元件之一定之各电极之多数导电构件,及以电气方式连接在该导电构件之外部端子之接触器;保持与上述接触器接触成接触状态之该半导体晶圆之半导体晶圆固定台;测量该半导体晶圆固定台之温度之温度测量机构,以及,控制载置在该半导体晶圆固定台之半导体晶圆之温度之温度控制机构;该半导体晶圆贮存室在该室之下部有支持板,该支持板有配置上述半导体晶圆固定装置之孔,同时有,以该孔为中心之多数放射线方向分割之构造。13.如申请专利范围第12项之半导体晶圆贮存室,其特征在于,上述支持板由合成树脂形成。14.一种半导体晶圆贮存室,系用以收容半导体晶圆固定装置之半导体晶圆贮存室,上述半导体晶圆固定装置备有:具有以整批且个别以电气方式接触于,形成在该半导体晶圆上之多数半导体元件之一定之各电极之多数导电构件,及以电气方式连接在该导电构件之外部端子之接触器,保持与上述接触器成为接触状态之该半导体晶圆之半导体晶圆固定台,有载置半导体晶圆用之表面,在其内部有到达该表面附近之至少一个凹部之半导体晶圆固定台;测量该半导体晶圆固定台之温度之温度测量机构,有至少一个温度检测器,及支持该温度检测器,同时令该温度检测器通过上述温度控制机构之该贯穿孔,嵌入上述半导体晶圆固定台之凹部之第1弹性支持构件之温度测量机构;以及,控制载置在该半导体晶圆固定台之半导体晶圆之温度之温度控制机构,设在上述表面之反面侧,接触于该半导盘晶圆固定台,控制上述半导体晶圆固定台之温度,同时支持上述半导体晶圆固定台,而在对应上述凹部之位置至少有一个贯穿孔之温度控制机构,而上述半导体晶圆贮存室在该室之下部有支持板,该支持板在对应上述接触器之上述各个外部端子之位置有中继端子,该中继端子系连接在形成于该半导体晶圆上之测量半导体元件之电气特性之测试装置。图式简单说明:第一图系表示本发明之备有半导体晶圆固定装置之晶圆贮存室之一实施形态之斜视图;第二图系用以说明,在第一图所示之晶圆贮存室进行可靠性试验时之信号之传递之分解斜视图;第三图A系表示晶圆卡盘之斜视图;第三图B系晶圆卡盘之主要部分之截面图;第三图C系表示晶圆卡盘之气体供应管之阀机构之截面图;第三图D系表示晶圆卡盘所用之封闭构件之斜视图;第四图A系表示,在第一图所示之晶圆W与接触器成整体接触状态下之接触器之异方性导电片,与晶片之关系之平面图;第四图B系第四图A之截面图;第四图C及第四图D系分别表示电极片与异方性导电片之导电体之关系之平面图;第五图系表示第二图所示之底套之斜视图;第六图系第五图所示之底套之截面图;第七图系表示第一图所示之晶圆贮存室之温度控制装置之方块图;第八图A系以模式方式表示,第二图所示之底套在装设壳体(shell)以前之状态时,底套接合装置及晶圆温度测量装置之截面图;第八图B系以模式方式表示,第二图所示之底套在装设壳体以后之状态时,底套接合装置及晶圆温度测量装置之截面图;第八图C系表示,第二图所示之底套之温度检测器与位置检测器之关系之放大图;第九图A系表示竖设有弹簧梢之弹簧梢方块之斜视图;第九图B系表示弹簧梢与接触器相互接触时之受热影响之模式图;第十图A系为了与第九图所示之弹簧梢作比较,而表示竖设弹簧梢之其他弹簧梢方块之图;第十图B系表示第十图A之弹簧梢与接触器相互接触时之受热影响之模式图。
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