基板处理方法以及基板处理装置

摘要

本发明的基板处理方法包括：冲洗工序，向形成有微细图案且基板保持单元保持为水平姿势的基板的上表面供给冲洗液；有机溶媒供给工序，向基板保持单元保持的基板的包括微细图案的间隙的上表面供给有机溶媒，在该上表面上形成有机溶媒的液膜，将附着于基板的上表面的冲洗液置换为有机溶媒，且有机溶媒是表面张力比冲洗液的表面张力小的规定的液体；高温保持工序，在开始有机溶媒供给工序后执行，使被基板保持单元保持的基板的上表面保持比有机溶媒的沸点高的规定的高温，在基板的包括微细图案的间隙的整个上表面形成有机溶媒的气相膜，在该气相膜的上方形成有机溶媒的液膜；有机溶媒排除工序，从基板保持单元保持的基板的上表面排除有机溶媒的液膜。

主权项

一种基板处理方法，其特征在于，包括：冲洗工序，向形成有微细图案且被基板保持单元保持为水平姿势的基板的上表面供给冲洗液；有机溶媒供给工序，向被所述基板保持单元保持的基板的包括所述微细图案的间隙的上表面供给有机溶媒，由此在该上表面上形成所述有机溶媒的液膜，来将附着于所述基板的上表面的冲洗液置换为所述有机溶媒，其中，所述有机溶媒是表面张力比冲洗液的表面张力小的规定的液体；高温保持工序，在开始所述有机溶媒供给工序之后执行，在该高温保持工序中，使被所述基板保持单元保持的基板的上表面保持比所述有机溶媒的沸点高的规定的高温，由此在所述基板的包括所述微细图案的间隙的整个上表面形成所述有机溶媒的气相膜，并且在该气相膜的上方形成所述有机溶媒的液膜；有机溶媒排除工序，从被所述基板保持单元保持的基板的上表面排除所述有机溶媒的液膜。