发明名称 |
气体阻隔性膜 |
摘要 |
本发明的目的是提供保存稳定性、特别是严酷的条件(高温高湿条件)下的保存稳定性优异的气体阻隔性膜。本发明涉及气体阻隔性膜,其含有基材和具有由下述化学式(1)所示的化学组成、且满足下述数学式1及数学式2的关系的含硅膜。SiOxNyMz···(1)0.001≤Y/(X+Y)≤0.25···数学式13.30≤3Y+2X≤4.80···数学式2所述化学式(1)中,M表示选自由长式元素周期表的第2~第14族的元素组成的组中的至少一种(但不包括硅及碳),z为0.01~0.3,所述数学式1及数学式2中,X=x/(1+(az/4))、Y=y/(1+(az/4))(其中,a为元素M的价数。)。 |
申请公布号 |
CN104903090B |
申请公布日期 |
2016.12.07 |
申请号 |
CN201480004340.X |
申请日期 |
2014.01.09 |
申请人 |
柯尼卡美能达株式会社 |
发明人 |
室田和敏 |
分类号 |
B32B9/00(2006.01)I;H01L51/50(2006.01)I;H05B33/02(2006.01)I;B05D3/06(2006.01)I;B05D7/24(2006.01)I |
主分类号 |
B32B9/00(2006.01)I |
代理机构 |
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 |
代理人 |
贾成功 |
主权项 |
一种气体阻隔性膜,其含有:基材;和具有由下述化学式(1)所示的化学组成、且满足下述数学式1及下述数学式2的关系的含硅膜,SiO<sub>x</sub>N<sub>y</sub>M<sub>z</sub>…(1)0.001≤Y/(X+Y)≤0.25…数学式13.30≤3Y+2X≤4.80…数学式2所述化学式(1)中,M表示选自由长式元素周期表的第2~第14族的元素组成的组中的至少一种,但不包括硅及碳;x为氧相对于硅的原子比,y为氮相对于硅的原子比,z为M相对于硅的原子比,x为1.1~3.1,y为0.001~0.51,且z为0.01~0.3,所述数学式1及所述数学式2中,X=x/(1+(az/4))、Y=y/(1+(az/4)),其中,a为元素M的价数。 |
地址 |
日本东京 |