| 发明名称 | 生长在铝酸镁钪衬底上的InGaN/GaN量子阱及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了生长在铝酸镁钪衬底上的InGaN/GaN多量子阱，包括依次生长在铝酸镁钪衬底上的第一GaN缓冲层、非晶态AlN插入层、第二GaN缓冲层、InGaN/GaN量子阱。本发明还公开了上述生长在铝酸镁钪衬底上的InGaN/GaN多量子阱的制备方法。本发明具有生长工艺简单，制备成本低廉的优点，且制备的InGaN/GaN多量子阱缺陷密度低、结晶质量好，发光性能优良。 | ||
| 申请公布号 | CN106206888A | 申请公布日期 | 2016.12.07 |
| 申请号 | CN201610757252.8 | 申请日期 | 2016.08.29 |
| 申请人 | 华南理工大学 | 发明人 | 李国强;王文樑;杨美娟;林云昊 |
| 分类号 | H01L33/06(2010.01)I;H01L33/32(2010.01)I;H01L33/02(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I | 主分类号 | H01L33/06(2010.01)I |
| 代理机构 | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人 | 罗观祥 |
| 主权项 | 生长在铝酸镁钪衬底上的InGaN/GaN量子阱，其特征在于，包括依次生长在铝酸镁钪衬底上的第一GaN缓冲层、非晶态AlN插入层、第二GaN缓冲层、InGaN/GaN量子阱。 | ||
| 地址 | 510640 广东省广州市天河区五山路381号 | ||