| 发明名称 | 制造半导体衬底的方法以及用于半导体生长的衬底 | ||
| 摘要 | 提供了制造半导体衬底的方法以及用于半导体生长的衬底。所述制造半导体衬底的方法可以包括：在生长衬底上形成缓冲层；在所述缓冲层中形成多个开口，所述多个开口穿过所述缓冲层并且彼此分隔开；在所述生长衬底上形成多个腔，所述多个腔排列为分别对应于所述多个开口；在所述缓冲层上生长半导体层，生长所述半导体层包括用所述半导体层填充所述多个开口；以及将所述缓冲层和所述半导体层从所述生长衬底分离，其中所述生长衬底与所述缓冲层之间的分界处的所述多个开口中的每一个的直径小于所述分界处的所述多个腔中的每一个的直径。 | ||
| 申请公布号 | CN106206863A | 申请公布日期 | 2016.12.07 |
| 申请号 | CN201610364734.7 | 申请日期 | 2016.05.27 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 朴永焕;姜三默;金峻渊;金美贤;金柱成;卓泳助 |
| 分类号 | H01L33/00(2010.01)I;H01L33/22(2010.01)I;H01L33/12(2010.01)I;H01L33/32(2010.01)I | 主分类号 | H01L33/00(2010.01)I |
| 代理机构 | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人 | 张帆;崔卿虎 |
| 主权项 | 一种制造半导体衬底的方法，所述方法包括：在生长衬底上形成缓冲层；在所述缓冲层中形成多个开口，所述多个开口穿过所述缓冲层并且彼此分隔开；在所述生长衬底上形成多个腔，所述多个腔排列为分别对应于所述多个开口；在所述缓冲层上生长半导体层，生长所述半导体层包括利用所述半导体层填充所述多个开口；以及将所述缓冲层和所述半导体层从所述生长衬底分离，其中所述生长衬底与所述缓冲层之间的分界处的所述多个开口中的每一个开口的直径小于所述分界处的所述多个腔中的每一个腔的直径。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||