| 发明名称 | 用于半导体器件的薄膜及半导体器件的制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种用于半导体器件的薄膜及半导体器件的制作方法，所述薄膜包括基材和设置于所述基材上的粘合层，其特征在于：所述薄膜预设为粘贴区和扩展区，所述扩展区的弹性模量小于所述粘贴区的弹性模量，当对所述薄膜施以一拉伸力时，所述扩展区比所述粘贴区更容易产生拉伸形变。采用该薄膜进行半导体器件扩膜时，可保证器件均匀、有序排列于薄膜上。 | ||
| 申请公布号 | CN106206397A | 申请公布日期 | 2016.12.07 |
| 申请号 | CN201610636215.1 | 申请日期 | 2016.08.05 |
| 申请人 | 厦门市三安光电科技有限公司 | 发明人 | 徐宸科;时军朋;邵小娟;林科闯 |
| 分类号 | H01L21/683(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/683(2006.01)I |
| 代理机构 | 代理人 | ||
| 主权项 | 用于半导体器件的薄膜，包括基材和设置于所述基材上的粘合层，其特征在于：所述薄膜预设为粘贴区和扩展区，所述扩展区的弹性模量小于所述粘贴区的弹性模量，当对所述薄膜施以拉伸力时，薄膜的扩展区比粘贴区更容易产生拉伸形变。 | ||
| 地址 | 361009 福建省厦门市思明区吕岭路1721-1725号 | ||