| 发明名称 | 电子装置 | ||
| 摘要 | 本实用新型涉及一种电子装置。本实用新型的一个目的是解决与现有技术中存在的一个或更多个问题相关的问题。所述电子装置包括具有在同质结构中的栅电极和沟道区的纵向III‑V族晶体管。所述沟道区可设置在所述栅电极的第一部分与第二部分之间。在一个实施例中，所述III‑V族晶体管可以是增强型GaN晶体管，而在一个具体实施例中，漏极、源极和沟道区可包括相同的导电型。根据本实用新型的实施例，可以提供一种改进的电子装置。 | ||
| 申请公布号 | CN205789989U | 申请公布日期 | 2016.12.07 |
| 申请号 | CN201620329821.4 | 申请日期 | 2016.04.19 |
| 申请人 | 半导体元件工业有限责任公司 | 发明人 | P·莫恩斯;P·范米尔贝克;J·帕塞 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L29/10(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人 | 申发振 |
| 主权项 | 一种电子装置，其特征在于，所述电子装置包括纵向III‑V族晶体管，所述纵向III‑V族晶体管具有在同质结构中的栅电极和沟道区，其中所述沟道区设置在所述栅电极的第一部分与第二部分之间。 | ||
| 地址 | 美国亚利桑那 | ||