| 主权项 |
1.一种防止半球型晶粒矽层于掺杂时,晶粒互相黏结的制作方法,该方法至少包含:形成一氧化层于一未掺杂的半球型晶粒矽层上,以固定该未掺杂的半球型晶粒矽层结构;掺加杂质于该未掺杂的半球型晶粒矽层上;及除去该氧化层。2.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之氧化层至少包含一二氧化矽层、一磷矽玻璃层(PSG)、一硼磷矽玻璃层(BPSG)或一氮化矽层之任一者。3.如申请专利范围第2项之方法,其中上述之二氧化矽层的制程方法为热氧化法或化学气相沈积法。4.如申请专利范围第3项之方法,其中上述之热氧化法制成的二氧化矽层厚度约为50-100埃。5.如申请专利范围第3项之方法,其中上述之热氧化制程的温度约为850-1100℃。6.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之掺加杂质为利用热回火的制程形成。7.如申请专利范围第1项之方法,其中上述之掺加杂质之浓度为1020atom/cm3。8.如申请专利范围第6项之方法,其中上述之热回火的温度约为850-1050℃。9.如申请专利范围第6项之方法,其中上述之热回火的时间约为0.5-2分钟。10.一种记忆体电容之底部电极的制作方法,该方法至少包含:形成一第一介电层于一半导体基底之上;形成一第二介电层于该第一介电层之上;形成一光阻于该第二介电层之上;以该光阻为罩幕去除该第一介电层之部份及该第二介电层之部份,以形成一接触洞;去除该光阻;形成一第一导电层于该第二介电层之上,并回填至该接触洞中;形成一光阻于该第一导电层之上;以该光阻为罩幕去除该第一导电层之部份;去除该光阻;形成一未掺杂的半球形晶粒矽层于该第一导电层之上;形成一氧化层于该未掺杂的半球型晶粒矽层上;掺加杂质于该未掺杂的半球型晶粒矽层上;及除去该氧化层。11.如申请专利范围第10项之方法,其中上述之未掺杂的半球形晶粒矽层的厚度约为400-800埃。12.如申请专利范围第10项之方法,其中上述之氧化层至少包含一二氧化矽层、一磷矽玻璃层(PSG)、一硼磷矽玻璃层(BPSG)或一氮化矽层之任一者。。13.如申请专利范围第12项之方法,其中上述之二氧化矽层的制程方法为热氧化法或化学气相沈积法。14.如申请专利范围第13项之方法,其中上述之热氧化法制成的二氧化矽层厚度约为50-100挨。15.如申请专利范围第13项之方法,其中上述之热氧化制程的温度约为850-1100℃。16.如申请专利范围第10项之方法,其中上述之掺加杂质为利用热回火的制程形成。17.如申请专利范围第10项之方法,其中上述之掺加杂质之浓度为1020atom/cm3。18.如申请专利范围第16项之方法,其中上述之热回火的温度约为850-1050℃。19.如申请专利范围第16项之方法,其中上述之热回火的时间约为0.5-2分钟。20.一种平坦化半球型晶粒矽层的制作方法,该方法至少包含:形成一氧化层于一未掺杂的半球型晶粒矽层上,其中该未掺杂的半球型晶粒矽层表面具有尖端;掺加杂质于该未掺杂的半球型晶粒矽层上;及除去该氧化层,因而除去该半球型晶粒矽层表面尖端,获得一具全面性掺杂及结构较平滑之半球型晶粒矽层。21.如申请专利范围第20项之方法,其中上述之氧化层至少包含一二氧化矽层、一磷矽玻璃层(PSG)、一硼磷矽玻璃层(BPSG)或一氮化矽层之任一者。22.如申请专利范围第21项之方法,其中上述之二氧化矽层的制程方法为热氧化法或化学气相沈积法。23.如申请专利范围第22项之方法,其中上述之热氧化法制成的二氧化矽层厚度约为50-100埃。24.如申请专利范围第22项之方法,其中上述之热氧化制程的温度约为850-1100℃。25.如申请专利范围第20项之方法,其中上述之掺加杂质为利用热回火的制程形成。26.如申请专利范围第20项之方法,其中上述之掺加杂质之浓度为1020atom/cm3。27.如申请专利范围第25项之方法,其中上述之热回火的温度约为850-1050℃。28.如申请专利范围第25项之方法,其中上述之热回火的时间约为0.5-2分钟。图式简单说明:第一图显示以传统方法形成的一掺质半球形晶粒矽(Dopant HSG-Si)层的记忆体电容之底部电极的截面图。第二图显示依据本发明之一较佳实施例,于矽基底上形成一具通道阻绝区的场氧化层之截面图。第三图显示依据本发明之一较佳实施例,于矽基底上形成一具低掺杂汲极(Lightly Doped Drain)的电晶体及一字元线之截面图。第四图显示依据本发明之一较佳实施例,于电晶体上形成一位元线。第五图显示依据本发明之一较佳实施例,于矽基底上形成第一介电层及第二介电层,并于此二介电层内开一接触窗的截面图。第六图显示依据本发明之一较佳实施例,形成未掺杂的半球形晶粒矽层于第一导电层之上的截面图。第七图显示依据本发明之一较佳实施例,形成二氧化矽层于未掺杂的半球形晶粒矽层上之截面图。第八图显示依据本发明之一较佳实施例,以热回火的杂质扩散法,对未掺杂的半球形晶粒矽层做全面性的掺杂,以获得导电性较佳的掺质半球形晶粒矽层。及第九图显示依据本发明之一较佳实施例,除去上述之二氧化矽层,曝露出具全面性掺杂及结构完整且平滑的半球形晶粒矽层之截面图。 |
