| 主权项 |
1.一种金属层的制造方法,包括:a.提供一半导体基底,该半导体基底已形成有一MOS元件;b.在该半导体基底上,形成一合金金属层;c.进行一热制程;d.形成一光阻层,该光阻层已定义出一图案;e.进行蚀刻制程,以将该光阻层之该图案转移至该合金金属层;以及f.剥除该光阻层。2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该合金包括至少由铜和铝所组成。3.如申请专利范围第1项所述之方法,其中在该步骤b和步骤c之间,更包括形成一抗反射层。4.如申请专利范围第3项所述之方法,其中该抗反射层包括氮化钛层。5.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该热制程包括快速加热制程。6.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该热制程包括将该半导体基底置于热垫板上,加热至约350℃。7.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该步骤d更包括对该光阻层已定义之该图案,进行显影后检视之品管动作。8.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该品管动作若不合格,更包括剥除不合格的该光阻层,之后重覆步骤c至步骤f。9.一种金属层的制造方法,包括:a.提供一半导体基底,该半导体基底已形成有一MOS元件;b.在该半导体基底上,形成一合金金属层;c.进行一热制程;d.形成一光阻层,并将该光阻层定义出一图案;e.对该图案进行监测,若该图案不正确,则剥除不合格的该光阻层,接着回溯至步骤c;f.进行蚀刻制程,以将该光阻层之该图案转移至该合金金属层;以及g.剥除该光阻层。10.如申请专利范围第9项所述之方法,其中该合金包括至少由铜和铝所组成。11.如申请专利范围第9项所述之方法,其中在该步骤b和步骤c之间,更包括形成一抗反射层。12.如申请专利范围第11项所述之方法,其中该抗反射层包括氮化钛层。13.如申请专利范围第9项所述之方法,其中该热制程包括快速加热制程。14.如申请专利范围第9项所述之方法,其中该热制程包括将该半导体基底置于热垫板上,加热至约350℃。15.如申请专利范围第9项所述之方法,其中对该图案进行监测的动作包括显影后检视。16.一种金属层的制造方法,适用于一半导体基底之一铝铜合金金属层,使该铝铜合金金属层在进行一蚀刻图案之一蚀刻制程时,确保该蚀刻制程的品质,该方法包括:a.形成该铝铜合金金属层后,进行一热制程,使该铝铜合金金属层无任何析出物干扰后续之该蚀刻制程;b.在该铝铜合金金属层上方形成一蚀刻罩幕,该蚀刻罩幕已定义出该蚀刻图案;以及c.进行该蚀刻制程。17.如申请专利范围第16项所述之方法,其中该铝铜合金包括至少由铜和铝所组成。18.如申请专利范围第16项所述之方法,其中进行该热制程之前,更包括在该铝铜合金金属层上方形成一抗反射层。19.如申请专利范围第18项所述之方法,其中该抗反射层包括氮化钛层。20.如申请专利范围第16项所述之方法,其中该热制程包括快速加热制程。21.如申请专利范围第16项所述之方法,其中该热制程包括将该半导体基底置于热垫板上,加热至约350℃。22.如申请专利范围第16项所述之方法,其中该蚀刻罩幕包括光阻层。23.如申请专利范围第16项所述之方法,其中该步骤b更包括对该蚀刻罩幕已定义之该蚀刻图案,进行一品管动作,以确保该蚀刻图案的正确性。24.如申请专利范围第23项所述之方法,其中该品管动作若不合格,更包括剥除不合格的该蚀刻罩幕,之后重覆步骤a至步骤c。图式简单说明:第一图系显示一种习知金属层的制造流程图。第二图系显示根据本发明较佳实施例之一种金属层的制造流程图。 |
