发明名称 |
钝化层形成用组合物、带钝化层的半导体基板及其制造方法、太阳能电池元件及其制造方法、以及太阳能电池 |
摘要 |
本发明的钝化层形成用组合物包含下述通式(I)所示的有机铝化合物和选自烷醇钛、烷醇锆及烷醇硅中的至少一种烷醇盐化合物。在下述通式(I)中,R<sup>1</sup>分别独立地表示碳数1~8的烷基;n表示0~3的整数;X<sup>2</sup>及X<sup>3</sup>分别独立地表示氧原子或亚甲基;R<sup>2</sup>、R<sup>3</sup>及R<sup>4</sup>分别独立地表示氢原子或碳数1~8的烷基。<img file="DDA0000654186440000011.GIF" wi="662" he="499" /> |
申请公布号 |
CN104471715B |
申请公布日期 |
2016.12.07 |
申请号 |
CN201380036883.5 |
申请日期 |
2013.07.12 |
申请人 |
日立化成株式会社 |
发明人 |
足立修一郎;吉田诚人;野尻刚;仓田靖;田中彻;织田明博;早坂刚 |
分类号 |
H01L31/0216(2014.01)I;H01L31/068(2012.01)I;H01L31/0224(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/0216(2014.01)I |
代理机构 |
中科专利商标代理有限责任公司 11021 |
代理人 |
蒋亭 |
主权项 |
一种钝化层形成用组合物,其包含下述通式(I)所示的有机铝化合物和选自烷醇钛、烷醇锆及烷醇硅中的至少一种烷醇盐化合物,<img file="FDA0001068488880000011.GIF" wi="807" he="571" />通式(I)中,R<sup>1</sup>分别独立地表示碳数1~8的烷基,n表示0~3的整数,X<sup>2</sup>及X<sup>3</sup>分别独立地表示氧原子或亚甲基,R<sup>2</sup>、R<sup>3</sup>及R<sup>4</sup>分别独立地表示氢原子或碳数1~8的烷基。 |
地址 |
日本东京都 |