发明名称 |
MIM电容器及其制造方法 |
摘要 |
一种集成电路,包括:支撑物,在支撑物上方的至少三个金属层,该金属层包括具有顶板的顶部金属层和具有底板的底部金属层,在顶板和底板之间的介电材料,以便形成电容器,以及在支撑物上的多个氧化物层,该氧化物层包括顶部氧化物层,每个氧化物层各自覆盖相应的金属层。顶部氧化物层覆盖顶部金属层以及具有开口,通过该开口暴露至少部分顶板。一种通过提供具有金属和氧化物层的支撑物形成集成电路的方法,包括底板,形成腔体暴露底板,用介电材料填充腔体,应用具有顶板的另外的金属层和另外的氧化物层,以及形成开口以暴露顶板。 |
申请公布号 |
CN103855157B |
申请公布日期 |
2016.12.07 |
申请号 |
CN201310581474.5 |
申请日期 |
2013.11.18 |
申请人 |
NXP股份有限公司 |
发明人 |
罗埃尔·达门;格哈德·库普斯;皮特·杰勒德·斯蒂内肯 |
分类号 |
H01L27/08(2006.01)I;H01L23/522(2006.01)I;H01L21/822(2006.01)I |
主分类号 |
H01L27/08(2006.01)I |
代理机构 |
中科专利商标代理有限责任公司 11021 |
代理人 |
王波波 |
主权项 |
一种集成电路,其特征在于,包括:支撑物;布置在支撑物上方的至少三个金属层,所述金属层包括具有顶板的顶部金属层和具有底板的底部金属层;介电材料,所述介电材料设置在所述顶板和所述底板之间,以便形成电容器;以及布置在支撑物上的多个氧化物层,所述氧化物层包括顶部氧化物层,每个所述氧化物层各自覆盖相应的所述金属层;其中,顶部氧化物层覆盖顶部金属层,并且顶部氧化物层具有开口,通过该开口暴露至少部分顶板;其中所述介电材料的厚度与所述顶板和底板之间的多个氧化物层的厚度之和相同。 |
地址 |
荷兰艾恩德霍芬 |