| 发明名称 | 半导体基板 | ||
| 摘要 | 本发明公开一种半导体基板，包含半导体本体、第一缓冲层、第一非晶硅层、第二缓冲层、第二非晶硅层与第一保护层。半导体本体具有第一表面与相对于第一表面的第二表面。第一缓冲层设置于半导体本体的第一表面上。第一非晶硅层掺杂有第一型掺质且设置于第一缓冲层上。第二缓冲层设置于半导体本体的第二表面上。第二非晶硅层掺杂有第二型掺质且设置于第二缓冲层上。第一保护层设置于第一非晶硅层上。 | ||
| 申请公布号 | CN106206782A | 申请公布日期 | 2016.12.07 |
| 申请号 | CN201510228814.5 | 申请日期 | 2015.05.07 |
| 申请人 | 新日光能源科技股份有限公司 | 发明人 | 赵建昌 |
| 分类号 | H01L31/0392(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/0392(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人 | 王玉双;常大军 |
| 主权项 | 一种半导体基板，其特征在于，包含：一半导体本体，具有一第一表面与相对于该第一表面的一第二表面；一第一缓冲层，设置于该第一表面上；一第一非晶硅层，设置于该第一缓冲层上，掺杂有一第一型掺质；一第二缓冲层，设置于该第二表面上；一第二非晶硅层，设置于该第二缓冲层上，掺杂有一第二型掺质；及一第一保护层，设置于该第一非晶硅层上。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹市新竹科学工业园区力行三路7号 | ||