发明名称 |
基于单晶铌酸锂薄片的薄膜体声波谐振器及其制备方法 |
摘要 |
本发明涉及微电子器件领域,具体涉及一种基于单晶铌酸锂薄片压电材料的薄膜体声波谐振器,以及该谐振器的制备方法。本发明用于克服现有薄膜体声波谐振器机电耦合系数过低的缺陷,该薄膜体声波谐振器包括Si衬底,于Si衬底上形成的图形化键合胶支撑层,于键合胶支撑层上设置的单晶铌酸锂薄片,于键合胶间隙中设置的下电极层附着于铌酸锂薄片下表面,于铌酸锂薄片上表面形成上电极层,所述上电极层、下电极层对应设置。该薄膜体声波谐振器既能满足高频率,也能保持极大的机电耦合系数,能够达到43%,从而极大的提高了器件传输频率带宽;且该谐振腔结构简单、加工重复性好,能够获得一致性良好的大规模线列和阵列器件。 |
申请公布号 |
CN106209001A |
申请公布日期 |
2016.12.07 |
申请号 |
CN201610489078.3 |
申请日期 |
2016.06.29 |
申请人 |
电子科技大学 |
发明人 |
帅垚;李杰;罗文博;吴传贵;张万里;龚朝官;白晓圆;潘忻强 |
分类号 |
H03H3/02(2006.01)I;H03H9/02(2006.01)I |
主分类号 |
H03H3/02(2006.01)I |
代理机构 |
电子科技大学专利中心 51203 |
代理人 |
甘茂 |
主权项 |
基于单晶铌酸锂薄片的薄膜体声波谐振器,其特征在于,所述薄膜体声波谐振器包括Si衬底,于Si衬底上形成的图形化键合胶支撑层,于键合胶支撑层上设置的单晶铌酸锂薄片,于键合胶间隙中设置的下电极层附着于铌酸锂薄片下表面,于铌酸锂薄片上表面形成上电极层,所述上电极层、下电极层对应设置。 |
地址 |
611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号 |