| 摘要 |
본 명세서에 기술된 방법들 및 장치의 양태들은, 텅스텐 핵생성 층들 및 다른 텅스텐-함유 막들의 디포지션에 관한 것이다. 방법들의 다양한 실시예들은 기판의 표면 상에 텅스텐-함유 층을 디포짓하도록 저 챔버 압력에서 텅스텐 전구체와 환원제의 교번하는 펄스들에 기판을 노출시키는 단계를 수반한다. 다양한 실시예들에 따르면, 챔버 압력은 10 Torr 이하로 유지될 수도 있다. 일부 실시예들에서, 챔버 압력은 7 Torr 이하로, 또는 훨씬 보다 낮은, 예를 들어, 5 Torr 이하로 유지될 수도 있다. 방법들은 불소-함유 텅스텐 전구체를 사용하여 구현될 수도 있지만, 디포짓된 층 내에 매우 적거나 검출 불가능한 양의 불소를 발생시킬 수도 있다. |
