发明名称 |
积层陶瓷电容器 |
摘要 |
本发明提供一种积层陶瓷电容器,即便介电体层的薄层化不断进展,例如即便介电体层的厚度达到1.0μm以下,其也可以确切地抑制CR积的降低。积层陶瓷电容器(10)是在将由在积层方向上邻接的2个内部电极层(12)与夹在该2个内部电极层(12)之间的1个介电体层(13)所构成的部分理解为单位电容器时,沿积层方向排列的共计19个单位电容器(UC1~UC19)的静电容量形成了从积层方向两侧向内侧逐渐增加且从两个增加高点向积层方向逐渐减少的分布。 |
申请公布号 |
CN103700500B |
申请公布日期 |
2016.12.07 |
申请号 |
CN201310452919.X |
申请日期 |
2013.09.25 |
申请人 |
太阳诱电株式会社 |
发明人 |
齐藤贤二;森田浩一郎 |
分类号 |
H01G4/30(2006.01)I;H01G4/12(2006.01)I |
主分类号 |
H01G4/30(2006.01)I |
代理机构 |
北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 |
代理人 |
路勇 |
主权项 |
一种积层陶瓷电容器,具备电容器主体,所述电容器主体具有多个内部电极层层间夹着介电体层的结构;且特征在于:将由在积层方向上邻接的2个内部电极层与夹在该2个内部电极层之间的1个介电体层所构成的部分理解为单位电容器时,沿积层方向排列的多个单位电容器的静电容量形成了从积层方向两侧向内侧逐渐增加且从两个高点向积层方向中央逐渐减少的分布;当将所述积层方向两侧的单位电容器的静电容量的平均值设为Co,将与所述两个高点对应的单位电容器的静电容量的平均值设为Cp,将所述积层方向中央的单位电容器的静电容量设为Cs时,(Cp-Co)/Co为3.1%以上,(Cp-Cs)/Cs为3.0%以上。 |
地址 |
日本东京 |