| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体器件，包括：衬底，包括单元区和外围区；单元层叠结构，层叠在单元区中的衬底上；一体式结构的沟道层，在穿透单元层叠结构；驱动晶体管，形成在外围区中；以及插塞结构，耦接到驱动晶体管且包括比沟道层短的至少两个接触插塞的层叠结构，其中，所述接触插塞中的每个与单元层叠结构的一部分布置在相同高度。 | ||
| 申请公布号 | CN106206594A | 申请公布日期 | 2016.12.07 |
| 申请号 | CN201610125380.0 | 申请日期 | 2016.03.04 |
| 申请人 | 爱思开海力士有限公司 | 发明人 | 安正烈 |
| 分类号 | H01L27/115(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/115(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人 | 李少丹;许伟群 |
| 主权项 | 一种半导体器件，包括：衬底，包括单元区和外围区；单元层叠结构，层叠在单元区中的衬底上；一体式结构的沟道层，穿透单元层叠结构；驱动晶体管，形成在外围区中；以及插塞结构，耦接到驱动晶体管且包括比沟道层短的至少两个接触插塞的层叠结构，其中，所述接触插塞中的每个与单元层叠结构的一部分布置在相同高度。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||