一种全无机QLED及其制备方法

摘要

本发明公开一种全无机QLED及其制备方法，包括衬底、沉积于衬底上的N型半导体、分别沉积于N型半导体两侧台阶上的量子点和N型电极、依次沉积于量子点上的P型半导体和P型电极；所述N型半导体为n‑GeAs、n‑GeSb、n‑SiAs、n‑SiSb中的一种；所述P型半导体为p‑GeAs、p‑GeSb、p‑SiAs、p‑SiSb中的一种。利用本发明上述半导体材料作为QLED器件的电子和空穴传输层相比基于含氮镓类的半导体结构材料电子迁移率更高，电荷传输率更高，进而有效的提高电子空穴的复合率；并且利用此器件结构来制备全无机QLED不仅制备方法简单，而且可以有效改善器件的寿命。

主权项

一种全无机QLED，其特征在于，包括衬底、沉积于衬底上的N型半导体、分别沉积于N型半导体两侧台阶上的量子点和N型电极、依次沉积于量子点上的P型半导体和P型电极；所述N型半导体为n‑GeAs、n‑GeSb、n‑SiAs、n‑SiSb中的一种；所P型半导体为p‑GeAs、p‑GeSb、p‑SiAs、p‑SiSb中的一种。