| 发明名称 |
PROCEDE D'EFFACEMENT D'UNE MEMOIRE RAM STATIQUE ET MEMOIRE EN CIRCUIT INTEGRE ASSOCIE |
| 摘要 |
<P>Dans une mémoire RAM statique, on réalise un effacement complet de la mémoire de manière séquentielle en propageant un signal de commande flash-ON d'effacement de groupe en groupe de cellules au travers de circuits retardateurs (R0-R8) calibrés pour correspondre au temps maximum d'effacement d'un groupe de cellules.</P>
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| 申请公布号 |
FR2760286(A1) |
申请公布日期 |
1998.09.04 |
| 申请号 |
FR19970002454 |
申请日期 |
1997.02.28 |
| 申请人 |
SGS THOMSON MICROELECTRONICS SA |
发明人 |
HENNEBOIS BRIGITTE;MONARI JEAN YVES |
| 分类号 |
G11C7/10;G11C11/419;(IPC1-7):G11C16/00;G11C11/40 |
主分类号 |
G11C7/10 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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