| 摘要 |
本発明は、これらの問題を解決するためになされたものであり、酸化物半導体層への光照射の影響を低減することが可能な薄膜トランジスタを有するＴＦＴアレイ基板、ＴＦＴアレイ基板を備える液晶表示装置、およびＴＦＴアレイ基板の製造方法を提供することを目的とする。本発明によるＴＦＴアレイ基板は、ゲート絶縁膜（２）上に形成したＩｎＧａＺｎＯ系酸化物半導体であるチャネル層（６）と、第１のソース電極層（４ａ）および第２のソース電極層（４ｂ）をこの順に積層した積層体を含むソース電極（４）と、第１のドレイン電極層（５ａ）および第２のドレイン電極層（５ｂ）をこの順に積層した積層体を含むドレイン電極（５）とを備え、第１のソース電極層（４ａ）は、第２のソース電極層（４ｂ）よりも反射率が低い導電膜の層であり、第１のドレイン電極層（５ａ）は、第２のドレイン電極層（５ｂ）よりも反射率が低い導電膜の層であることを特徴とする。 |
