| 摘要 |
窒化物半導体は、基板(１)上に形成された初期成長層(２)と、上記初期成長層(２)上に形成されたバッファ層(３)と、上記バッファ層(３)上に形成され超格子バッファ層(４)と、上記超格子バッファ層(４)上に形成された複数の層からなるチャネル層(５)と、上記チャネル層(５)上に形成された障壁層(８)とを備え、上記超格子バッファ層(４)は、ＡlｘＧa１−ｘＮ(０.５≦ｘ≦１.０)の組成からなる厚さａの高Ａl含有層と、ＡlｙＧa１−ｙＮ(０≦ｙ≦０.３)の組成からなる厚さｂの低Ａl含有層とを交互に積層して形成されており、上記チャネル層(５)は、上記超格子バッファ層(４)と接合すると共に、超格子バッファ層(４)の側から順に、ＡlｚＧa１−ｚＮ層(６)とＧaＮ層(７)とが積層されて形成されており、上記ＡlｚＧa１−ｚ層(６)のＡl組成は上記超格子バッファ層(４)の平均Ａl組成と同じである。 |
