| 摘要 |
【課題】半導体素子の発熱を効率よく放熱することができなかった。【解決手段】図４は、半導体装置１００の断面図を示す。負極側第１導体５０の突出部５２は、第２導体７０の突出部７１と絶縁膜５１、７１を介して接触する。正極側第１導体６０の突出部６２は、第２導体７０の突出部７１と絶縁膜５１、７１を介して接触する。また、負極側第１導体５０と正極側第１導体６０とが隣接して配置される。負極側第１導体５０と正極側第１導体６０は互いに接触しており、負極側第１導体５０の突出部５２と正極側第１導体６０の突出部６２は、第２導体７０の突出部７１と接触している。このため、半導体素子２ａ若しくは半導体素子２ｂのいずれか高い方の熱は、負極側第１導体５０、正極側第１導体６０、第２導体７０を経て、下部ハウジング８０の放熱面８１、あるいは上部ハウジング９０の放熱面９１より放出される。【選択図】 図４ |
