发明名称 |
半導体装置およびその製造方法 |
摘要 |
【課題】寸法および形状のばらつきの小さい光導波路を有する半導体装置を提供する。【解決手段】光導波路を形成する際、ダミーパターンが形成される領域Cにおいて、レジストマスクRM2の開口部の面積と、レジストマスクRM2から露出するダミーパターン用の半導体層SL4の面積とが一致し、かつ、レジストマスクRM2から露出するダミーパターン用の半導体層SL4の厚さが均一となるようにする。これにより、ダミーパターン用の半導体層SL4をエッチングする際の実効的なパターン密度は変化しないので、所望する寸法および形状を有するリブ形状の光導波路を形成することができる。【選択図】図6 |
申请公布号 |
JP2017049507(A) |
申请公布日期 |
2017.03.09 |
申请号 |
JP20150174393 |
申请日期 |
2015.09.04 |
申请人 |
ルネサスエレクトロニクス株式会社;技術研究組合光電子融合基盤技術研究所 |
发明人 |
綿貫 真一;満生 彰;稲田 充郎;最上 徹;堀川 剛;木下 啓藏 |
分类号 |
G02B6/122;G02B6/136;G02F1/025 |
主分类号 |
G02B6/122 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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