| 摘要 |
【解決手段】透明基板と、シート抵抗が１０，０００Ω／□以下のクロム含有膜とを含み、クロム含有膜が、クロム及び窒素又はクロム、窒素及び酸素を含有するクロム化合物からなり、クロム、窒素及び酸素の合計の含有率が９３原子％以上であり、３Ｃｒ≦２Ｏ＋３Ｎ（Ｃｒはクロム含有率、Ｏは酸素含有率、Ｎは窒素含有率（いずれも原子％））を満たし、クロムに対する窒素の原子比が０．９５以上、クロム含有率が４０原子％以上、クロム及び窒素の合計の含有率が８０原子％以上、かつ酸素含有率が１０原子％以下の組成を満たす層を、クロム含有膜全体の厚さの７０％超１００％以下で含むフォトマスクブランク。【効果】本発明のフォトマスクブランクを用いれば、微細なフォトマスクパターンを高精度に形成することができ、フォトマスクの生産性の向上と、フォトマスクを用いたパターン転写により被転写物に形成されるパターンの細線化との両立が達成される。【選択図】図２ |
