| 摘要 |
結晶シリコン基板を透過しようとする光を反射させることにより、短絡電流（Ｉｓｃ）を向上させることができる太陽電池を提供する。受光面１１及び裏面１２を有する一導電型の結晶シリコン基板１０と、受光面１１または裏面１２のうちの一方の面上に設けられる他導電型の第１のシリコン層２０と、受光面１１または裏面１２のうちの他方の面上に設けられる一導電型の第２のシリコン層３０とを備え、結晶シリコン基板１０は、受光面１１に算術平均粗さＲａが１０００ｎｍ以上のテクスチャ構造を有し、裏面１２に算術平均粗さＲａが１０００ｎｍ未満の凹凸構造を有する。 |
