| 摘要 |
光電変換素子１００は、ｎ型単結晶シリコン基板１と、非晶質薄膜２と、ｉ型非晶質薄膜１１〜１ｍ，２１〜２ｍ−１と、ｐ型非晶質薄膜３１〜３ｍと、ｎ型非晶質薄膜４１〜４ｍ−１とを備える。非晶質薄膜２は、ｎ型単結晶シリコン基板１の光入射側の表面に接して設けられ、非晶質薄膜２０１，２０２からなる。非晶質薄膜２０１は、ａ−Ｓｉからなり、非晶質薄膜２０２は、非晶質薄膜２０１よりも光入射側に設けられ、ａ−ＳｉＮｘ（０＜ｘ＜０．８５）からなる。ｉ型非晶質薄膜１１〜１ｍ，２１〜２ｍ−１は、ｎ型単結晶シリコン基板１の裏面に接して設けられ、ｐ型非晶質薄膜３１〜３ｍは、ｉ型非晶質薄膜１１〜１ｍに接して設けられ、ｎ型非晶質薄膜４１〜４ｍ−１は、ｉ型非晶質薄膜２１〜２ｍ−１に接して設けられる。 |
