| 摘要 |
不純物を含む非晶質半導体層と当該非晶質シリコン層上に形成される電極との接触抵抗が大きくなるのを抑えて、素子特性を向上させることができる、光電変換装置を提供する。光電変換素子（１０）は、シリコン基板（１２）と、第１非晶質半導体層（２０ｎ）と、第２非晶質半導体層（２０ｐ）と、第１電極（２２ｎ）と、第２電極（２２ｐ）とを備える。一方の電極（２２ｎ）は、第１導電層（２６ｎ、２６ｐ）と、第２導電層（２８ｎ、２８ｐ）とを含む。第１導電層（２６ｎ、２６ｐ）は、第１金属を主成分とする。第２導電層（２８ｎ、２８ｐ）は、第１金属よりも酸化しやすい第２金属を含み、第１導電層（２６ｎ、２６ｐ）に接して形成され、且つ、第１導電層（２６ｎ、２６ｐ）よりもシリコン基板（１２）の近くに配置される。 |
