| 摘要 |
【課題】インジウムを主要成分とし、金属半導体接合を用いた電界効果トランジスタのオフ電流を低減する構造を提供する。【解決手段】インジウムを主要成分とする、厚さ０．１〜１００ｎｍの第１の酸化物半導体（例えば、酸化インジウム）よりなる第１の半導体層１の一方の面に絶縁膜４を設け、他の面に接して、Ｉ型の第２の酸化物半導体（例えば、酸化ガリウム）よりなる第２の半導体層２を設ける。第２の酸化物半導体の真空準位からフェルミレベルまでのエネルギー差は第１の酸化物半導体のものよりも大きい。【効果】上記の条件を満たす第２の酸化物半導体との接触面近傍においては、極めてキャリア濃度の低い領域（準Ｉ型領域）となるので、その部分をチャネルとすることにより、オフ電流が低減できる。また、ＦＥＴのドレイン電流は移動度の高い第１の酸化物半導体を流れるので、大電流を取り出せる。【選択図】図１ |
