| 摘要 |
ＩＧＢＴ部（２１）にＩＧＢＴが配置され、ＦＷＤ部（２２）にＦＷＤが配置される。ＩＧＢＴ部（２１）において、隣り合うトレンチ（２）間のメサ部には、基板おもて面にトレンチ（２）長手方向に沿ってｐベース領域（５−１）とｎ-ドリフト領域（１）とが交互に露出される。ＦＷＤ部（２２）において、メサ部には、基板おもて面にトレンチ（２）長手方向に沿ってｐアノード領域（５−２）とｎ-ドリフト領域（１）とが交互に露出され、ｎ-ドリフト領域（１）の、ｐアノード領域（５−２）間に挟まれた部分と、この部分に接する１つのｐアノード領域（５−２）とを１つのユニット領域とする繰り返し構造が形成される。１つのユニット領域内でｐアノード領域（５−２）が占める割合（アノード比率）（α）は５０％〜１００％である。これにより、ＩＧＢＴとＦＷＤとを同一半導体基板に内蔵したＲＣ−ＩＧＢＴのダイオード特性を向上させることができる。 |
