发明名称 Spannungsumsetzer mit asymmetrischen Gate-Spannungen
摘要 Es wird eine hocheffiziente Spannungsumsetzungs-Schaltungsvorrichtung sowohl mit asymmetrischen als auch symmetrischen Gate-Spannungen geschaffen, um einen hohen Wirkungsgrad für niedrige und mittlere Laststromstärken durch die asymmetrische Gate-Spannungssteuerung und einen hohen Wirkungsgrad für hohe Laststromstärken durch die symmetrische Gate-Spannungssteuerung zu erzielen. Die Vorrichtung umfasst eine Zwischenspannungs-Erzeugungsschaltungseinheit, Gate-Spannungs-Ansteuerschaltungen, die mit der Zwischenspannungs-Erzeugungsschaltungseinheit verbunden sind, Mehrphasenschalter, die mit den Ansteuerschaltungen für asymmetrische Gate-Spannungen verbunden sind, usw. Die Zwischenspannungs-Erzeugungsschaltungseinheit umfasst eine Spannungsreferenzschaltungseinheit, die die Referenzspannung für die Zwischenspannungserzeugung bereitstellt, eine aktive Strom-Pull-Down-Schaltungseinheit, einen Strom-Pull-Up, der durch einen hochohmigen Widerstand geliefert wird, und einen Ladungsspeicherkondensator.
申请公布号 DE102015221223(A1) 申请公布日期 2017.03.09
申请号 DE201510221223 申请日期 2015.10.29
申请人 Dialog Semiconductor (UK) Limited 发明人 CHILDS, Mark
分类号 H02M1/08;H02M3/158 主分类号 H02M1/08
代理机构 代理人
主权项
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