半導体装置の製造方法、基板処理装置及びプログラム

摘要

課題：基板上に形成される膜の特性を向上させる。 解決手段：シラザン結合を有する膜が形成され、膜にプリベークが施されている基板を処理容器に搬入させる工程と、基板にプリベークの温度以下の第１温度で酸素含有ガスを供給する工程と、基板に、前記第１温度よりも高い第２温度で処理ガスを供給する工程と、を有する半導体装置の製造方法等を提供する。