微細パターンの形成方法、半導体装置の製造方法、及び基板処理装置並びに記録媒体

摘要

基板表側において所定の線幅のコアパターンを形成するコアパターン形成工程と、前記コアパターン形成工程で形成したコアパターンに対し、サイドウォールを形成するサイドウォール形成工程と、前記サイドウォール形成工程後に、エッチングガスを用いて、前記サイドウォールを残した状態で前記コアパターンを除去するコアパターン除去工程と、を含む微細パターン形成方法を、前記コアパターン除去工程において、前記コアパターンの除去と並行して、前記コアパターン形成工程で基板裏側に堆積した膜を除去するように構成する。