Halbleitervorrichtungsfertigungsverfahren

摘要

Ein Halbleitervorrichtungsfertigungsverfahren weist einen Elementbildungsschritt des Ausbildens einer Elementstruktur auf einer vorderen Oberfläche eines Substrats und des Ausbildens einer rückseitigen Struktur auf einer rückseitigen Oberfläche des Substrats sowie einen Schichtbildungsschritt des Ausführens einer Schichtbildung auf einer vorderen Oberfläche der Elementstruktur während eines Messens der Temperatur des Substrats unter Verwendung eines Strahlungsthermometers auf, welches Infrarotstrahlen einer Wellenlänge λi auf die rückseitige Struktur auftreffen lässt, um ein Infrarot-Emissionsvermögen des Substrats zu erhalten. Die rückseitige Struktur weist eine erste Schicht nach außen exponiert und eine zweite Schicht in Kontakt mit der ersten Schicht auf, wobei der Brechungsindex der zweiten Schicht kleiner ist als derjenige der ersten Schicht, und die Schichtdicke der ersten Schicht in einem Bereich von (2n – 1)λi/8 bis (2n + 1)λi/8 festgelegt ist, wobei n eine positive gerade Zahl ist.