| 摘要 |
【課題】ｎ型AlxGa1-xN（0.5≦x≦1）層と良好なオーミック接触をとることのできるｎ型オーミック電極の製造方法を提供する。【解決手段】本発明のｎ型オーミック電極の製造方法は、ｎ型AlxGa1-xN（0.5≦x≦1）層３０表面にTiおよびHfのいずれかからなる第１金属層１１を形成する第１工程と、第１金属層１１表面にSnからなる第２金属層１２を形成する第２工程と、第２金属層１２表面にVおよびMoのいずれかからなる第３金属層１３を形成する第３工程と、第３金属層１３表面にAlからなる第４金属層１４を形成する第４工程と、第１金属層１１、第２金属層１２、第３金属層１３および第４金属層１４に熱処理を施す第５工程と、を含むことを特徴とする。【選択図】図２ |
